化學氣相淀積（CVD）用混合氣：CVD是利用揮發性化合物，通過氣相化學反應淀積某種單質和化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類，使用的化學氣相淀積（CVD）氣體也不同，以下是幾類化學氣相淀積混合氣的組成：

1.半導體膜：(1)硅烷(SiH4)+氫氣(H2)

                     (2)二氯二氫硅(SiH2Cl2)+氫氣(H2)

                     (3)四氯化硅(SiCl4) +氫氣(H2)

2.絕緣膜：  (1)硅烷(SiH4)+甲烷(CH4)

                    (2) 硅烷(SiH4)+氧氣(O2)

                    (3) 硅烷(SiH4)+氧氣(O2)+磷烷(PH3)

                    (4) 硅烷(SiH4)+氧氣(O2)+乙硼烷(B2H6)

                    (5) 硅烷(SiH4)+笑氣(N2O)+ 磷烷(PH3)

3.導體膜：  (1)六氟化鎢(WF6)+氫氣(H2)

                   (2) 六氟化鉬(MoF6)+氫氣(H2)

三、摻雜混合氣：在半導體器件和集成電路制造中，將某些雜質摻入半導體材料內，使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體（如氬氣和氮氣）在源柜中混合，混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。

1.硼化合物：乙硼烷(B2H6)、三氯化硼(BCl3)、溴化硼(BBr3)

2.磷化合物：磷烷(PH3)、三氯化磷(PCl3)、溴化磷(PBr3)

3.砷化合物：砷烷(AsH3)、三氯化砷(AsCl3)

稀釋氣體氦氣、氬氣、氫氣。

四、蝕刻混合氣：蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方法有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

1.鋁（Al）蝕刻：氯硅烷（SiCl4）+氬、四氯化碳（CCl4）+（氬、氦） 

2.鉻（Cr） 蝕刻：四氯化碳（CCl4）+氧、四氯化碳（CCl4）+空氣

3.鉬（Mo）蝕刻：二氟二氯化碳(CCl2F2)+氧、四氟化碳（CF4）+氧

4.鉑（Pt）蝕刻：三氟三氯乙烷（C2Cl3F3）+氧、四氟化碳（CF4）+氧

5.聚硅蝕刻：四氟化碳（CF4）+氧、乙烷（C2H6）+氯

6.硅（Si）蝕刻：四氟化碳（CF4）+氧

7.鎢（W）蝕刻：四氟化碳（CF4）+氧

五、其他混合氣：由于混合氣種類繁多，在此就不多列舉。艾佩科可為客戶定制混合氣體，按照客戶要求氣體的比率，量身定做。