<cite id="h1x3l"><span id="h1x3l"><var id="h1x3l"></var></span></cite>
<cite id="h1x3l"></cite>
<ins id="h1x3l"><noframes id="h1x3l"><cite id="h1x3l"></cite>
<cite id="h1x3l"><span id="h1x3l"></span></cite>
<del id="h1x3l"><span id="h1x3l"><del id="h1x3l"></del></span></del><ins id="h1x3l"><span id="h1x3l"><ins id="h1x3l"></ins></span></ins><ins id="h1x3l"><span id="h1x3l"><ins id="h1x3l"></ins></span></ins>

13450896373

化學氣相淀積(CVD)用混合氣

2019-02-13

化學氣相淀積(CVD)用混合氣:CVD是利用揮發性化合物,通過氣相化學反應淀積某種單質和化合物的一種方法,即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類,使用的化學氣相淀積(CVD)氣體也不同,以下是幾類化學氣相淀積混合氣的組成:

1.半導體膜:(1)硅烷(SiH4)+氫氣(H2)

                     (2)二氯二氫硅(SiH2Cl2)+氫氣(H2)

                     (3)四氯化硅(SiCl4) +氫氣(H2)

2.絕緣膜:  (1)硅烷(SiH4)+甲烷(CH4)

                    (2) 硅烷(SiH4)+氧氣(O2)

                    (3) 硅烷(SiH4)+氧氣(O2)+磷烷(PH3)

                    (4) 硅烷(SiH4)+氧氣(O2)+乙硼烷(B2H6)

                    (5) 硅烷(SiH4)+笑氣(N2O)+ 磷烷(PH3)

3.導體膜:  (1)六氟化鎢(WF6)+氫氣(H2)

                   (2) 六氟化鉬(MoF6)+氫氣(H2)


三、摻雜混合氣:在半導體器件和集成電路制造中,將某些雜質摻入半導體材料內,使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率,以制造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣)在源柜中混合,混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周,在晶片表面沉積上摻雜劑,進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。

1.硼化合物:乙硼烷(B2H6)、三氯化硼(BCl3)、溴化硼(BBr3)

2.磷化合物:磷烷(PH3)、三氯化磷(PCl3)、溴化磷(PBr3)

3.砷化合物:砷烷(AsH3)、三氯化砷(AsCl3)

稀釋氣體氦氣、氬氣、氫氣。


四、蝕刻混合氣:蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜等)蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來,以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方法有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體(鹵化物類),例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

1.鋁(Al)蝕刻:氯硅烷(SiCl4)+氬、四氯化碳(CCl4)+(氬、氦) 

2.鉻(Cr) 蝕刻:四氯化碳(CCl4)+氧、四氯化碳(CCl4)+空氣

3.鉬(Mo)蝕刻:二氟二氯化碳(CCl2F2)+氧、四氟化碳(CF4)+氧

4.鉑(Pt)蝕刻:三氟三氯乙烷(C2Cl3F3)+氧、四氟化碳(CF4)+氧

5.聚硅蝕刻:四氟化碳(CF4)+氧、乙烷(C2H6)+氯

6.硅(Si)蝕刻:四氟化碳(CF4)+氧

7.鎢(W)蝕刻:四氟化碳(CF4)+氧


五、其他混合氣:由于混合氣種類繁多,在此就不多列舉。艾佩科可為客戶定制混合氣體,按照客戶要求氣體的比率,量身定做。


91极品尤物在线观看,国产va-356mm,国产中文字幕中文字幕,91天堂嫩模 50分钟完整,欧美日韩国产中文字幕网址,中文文字乱码视永久在线